반도체 광학 증폭기 SOA 1060 nm 25 db

매개 변수

상징

상태

그래요.

유형.

맥스.

차원

작업 파장

lpeak

25 d, 핀 = 0DBM

-

1060

-

nm

중앙 파장 ASE

허락하다

25 00, if = 400m.a.

-

1070

-

nm

증폭의 거리 -3 dB

ΔL

핀 = -20dBm

-

50

-

nm

포화의 광 전력

pmax

if = 400m.a.,

핀 = 5dbm@1060nm

-

15

-

DBM

작은 신호 강화

SSG

if = 400m.a.,

핀 = -25dBm@1060nm

-

25

-

DB

강하게 하는 것

CEO

25 00, if = 400m.a.

DB

작업 전류

만약에

-

20

-

-

엄마.

직접적인 긴장

VF

-

-

400

600

V

노이즈 계수

nf

25 00, if = 400m.a., @1060nm

-

-

2.0

DB

테오 테오

LTEC

-

-

-

1.8

A

테오 장력

vtec

-

-

10

3.4

V

연기기의 저항

rtherm

t = 25 ℃

9.5

10

10.5

PC

정기 전류

ltherm

-

-

-

5

엄마.

완전한 힘

P

-

-

-

4

w

케이스의 작동 온도

맨 위

i = if

-10

-

70

℃

저장 온도

TS

-

-40

-

85

℃