1310 nm 슈퍼-발광 SLD 슈퍼 방사선 레이저 다이오드 다이오드 다이오드는 제어 광 도이드 및 열전 냉각기 (TEC)가있는 14 핀 표준 나비 케이스에 포장된다. 이것은 광섬유 일관성 단층 촬영과 같은 영역에서 중요한 역할을하는 특수 반도체 광 방출 장치입니다.
1310 nm 반도체에서 강제 방사선의 원리에 따라 작동하는 1310 nm Super -Luminescent SLD 슈퍼 방사선 레이저 다이오드 다이오드. 내부에는 특수 반도체 재료로 만들어진 활성 영역이 있습니다. 직접 변위 전압이 SLD에 공급되는 경우, 전자 및 구멍이 활성 영역에 주입됩니다. 활성 영역의 반도체 재료는 일반적으로 Arsenide GAUS (GAAS), Fosfide India (INP) 등과 같은 상응하는 에너지 영역 구조를 갖는 화합물입니다.
2. 1310 nm의 수퍼 -누생 다이오드 SLD 슈퍼 방사선 레이저 다이오드의 특징
1310 nm 슬레드 칩; 낮은 스펙트럼 맥동, 광대역 폭; 산업 14 핀 케이스의 표준; 제작 된 -TEC 및 광학 절연체; 낮은 편광 감도.
3. 애플리케이션 1310 NM 빈민가 SLD 슈퍼 방사선 레이저 다이오드 슈퍼 리민
광섬유 통신 시스템; 섬유 -광학 자이로 스코프; 광섬유 센서; 광학 일관성 단층 촬영; 생체 의학 시각화 시스템.
4. 1310 nm의 슈퍼 발광 다이오드의 광학 및 전기 특성 SLD Super Radion 레이저 다이오드
매개 변수
상징
상태
그래요.
유형.
맥스.
작업 단위
중앙 파장
플랫폼 s
TL = 15 ~ 35 ℃ CW
1290
1310
1330
nm
광학 출력 전력
~에 의해
-
10
-
-
MW
임계 값 전류
많이
-
-
80
-
이든.
작업 전류
IOP.
by = 10mw (cw)
-
400
500
이든.
Talph Maxims의 완전한 너비.
fwhm
by = 10mw (cw)
-
40
-
nm
스펙트럼 맥동
중.
RB = 0.1HM, CW10MW
-
-
0.3
DB
광학 분리
-
-10
30
-
-
DB
온도 만 발견했습니다
TS
-
15
-
35
℃
직접 레이저 장력
VF
출력 용량 CW 10 MW
-
2.5
3.0
다섯.
서미스터 전류
ITK
-
10
-
100
하다.
연기기의 저항
Rt
tl = 25 ℃
9.5
10
10.5
PC
기술류
부츠
TL = 25 ℃, TC = 70 ℃
-
0.8
1.5
에이)
텍스트 장력
VTEK
TL = 25 ℃, TC = 70 ℃
-
1.5
3.5
다섯.
기술 능력
ΔT
TC = 70 0
-
-
50
℃
연기기의 온도
-
-
-
-
100
℃
5. 포장 및 수출 도면 결정 (단위 : MM)
핀
설명
핀
설명
1
기술 (+)
14
오직 (-)
2
TERMIDOR
13
군단의 땅
3
NC
12
NC
4
NC
11
칩 (-)
5
서미스터, 서미스터
10
칩 (+)
6
NC
9
NC
7
NC
8
NC
6. 배달, 배송 및 유지 보수
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