400 NM-1000 NM 실리콘 포토 다이오드 모듈

400 nm -1000 nm 실리콘 포토 다이오드 모듈은 기본 물질로서 실리콘으로 만들어지며 400 nm -1000 nm의 스펙트럼 감도 범위를 가지며, 주로 입사 광학 신호를 전기 신호로 변환하여 광전 변형에 도달하는 기능을 수행합니다.

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제품 설명

400 NM-1000 NM 실리콘 포토 다이오드 모듈

1. 400 NM-1000 NM 실리콘 광 디오드 모듈 소개

400 nm -1000 nm 실리콘 포토 다이오드 모듈은 기본 물질로서 실리콘으로 만들어지며 400 nm -1000 nm의 스펙트럼 감도 범위를 가지며, 주로 입사 광학 신호를 전기 신호로 변환하여 광전 변형에 도달하는 기능을 수행합니다. 분광 분석 장치에서 다른 파장에서의 광 강도를 측정하고, 광학 센서에서 주변 조명의 변화를 감지하고 광학 통신 시스템에서 특정 파장의 광학 신호를 수신하는 데 사용됩니다. 이것은 광전자 기술 분야에서 광전 변형의 구현을위한 중요한 기본 장치 중 하나입니다.

2. 400 nm-1000 nm 실리콘 광학 모듈의 특징

높은 감도, 고속;

낮은 암 전류, 낮은 용기;

평평한 떨어지는 구조;

동축 케이스, 레이저 용접;

400 nm -1000 nm의 검출 범위;

ROH에 해당하며 리드를 포함하지 않습니다.

3. 실리콘 포토 다이오드 모듈 400 nm -1000 nm 모듈의 적용

광 전력 계량기;

광학 센서;

우주 조명을 감지하기위한 장비.

4. 실리콘 포토 다이오드 모듈의 광학 및 전기 특성 400 NM-1000 nm

매개 변수	상징	상태	그래요.	유형.	맥스.		단위
파장 범위	λ		400	-	1000		nm
민감도	Р	λ = 650 nm	-	0.30	-		a/c
		λ = 800art	-	0,35	-
		λ = 900 nm	-	0,40	-
활성 영역	С	-	680*680				음
암 전류	식별자	Br = 0V	-	-	1.0		~에
용량	С	Br = 0V	-	-		5.0	pf
성장 시간/침체의 시간	tr / tf	vr = 0w, 10 ~ 90%	-	-		3.0	ns
통과 용량	CHB	대역폭 3 DB	-	100		-	MGC
포화 전력	추신	-	2	-		-	MW
섬유의 유형	-	-		50/125			치료