생산

1290 nm DFB 10 MW 레이저 나비 레이저 다이오드는 개별 모드 기술 (DM)을 사용하여 만들어졌으며, 이는 모드 모델, 우수한 SMSR 및 좁은 폭을 구성 할 수있는 경제적 인 레이저 다이오드를 제공합니다. 또한 파장을 구성 할 수 있으며 1270 nm에서 1650 nm 범위를 포함합니다.

1270 nm dfb 10 mW 레이저 나비 레이저 다이오드는 밀폐 14 핀 케이스 나비로 만들어집니다. 레이저 다이오드에는 열전 냉각기 (TEC), 서미스터, 제어 포토 디오드, 고품질 레이저 작동을 보장하는 광학 절연체가 포함됩니다. 또한 SM Volocon, PM-Volocon 및 기타 특수 섬유의 출력 전력, 하우징 유형 및 출력 섬유가 있습니다. 파장을 구성 할 수 있으며 1270 nm에서 1650 nm까지 커버 할 수 있습니다.

BFLD-1030-50SM-FA 1030 NM 50 MW DFB 시리즈, 프로브를위한 SM 섬유 레이저 다이오드 모듈은 운송 용 칩이있는 평면 구조를 사용합니다. 고출력 칩은 에폭시 수지 및 플럭스가없는 "나비"유형의 14 핀 본체에서 밀봉되어 있으며 서미스터, 열전 냉각기 및 제어 다이오드가 장착되어 있습니다. 이 모듈은 요구 사항에 설명 된 Telcordia GR-468-Core를 충족합니다.

1550 NM 8 DB SOA 스위치 반도체 광학 스위치 SM Voloconny 레이저 다이오드는 광학 스위치 시장의 새로운 영역을 포함합니다. 이 기술은 잘 알려진 반도체 레이저 및 포장 방법을 기반으로하며 기존의 섬유 스위치 솔루션에 대한 저렴한 대안을 제공합니다. SOA는 1520에서 1650 nm의 범위의 모든 파장에서 작동 할 수 있으며, 광학 차단 셔터 또는 페이딩 계수가 65dB 인 변조에 매우 적합합니다. 이 장치는 나비 케이스에 포장되며, 이는 높은 통신 효율, 편광에 대한 감도가 낮고 포화의 높은 출력 전력을 제공합니다. 이 SOA는 나노초 속도의 통신 또는 광학 스위칭 라인을 확장하는 데 사용될 수 있으며, 18-25dB의 증가, 편광 <2.0 dB <2.0 dB 및 포화 전력에 대한 감도는 10 dBm입니다. 연속파 (CW)의 신호와 변조 신호의 신호를 모두 전환 할 수 있습니다.

1310 NM 10 DBM SOA 반도체 광학 증폭기 SM Butterfly는 고품질 SOA 및 TEC 코너 칩을 사용하여 설계되었으며, 이는 대규모 동적 입력 신호에 안정적인 향상된 출력을 제공 할 수 있습니다. 이 장치는 1310 nm 및 1550 nm 범위의 표준 14 핀 나비 케이스에서 사용할 수 있습니다. SOA 장치는 분극에 따라 높은 광학 강화 계수, 포화의 높은 출력 전력, 낮은 손실, 저음 계수 및 광범위한 파장을 갖습니다. 고객의 사양에 따라 SM 섬유, PM 섬유 및 기타 특수 섬유의 출력 섬유뿐만 아니라 입력 및/또는 출력 측의 광학 절연체 옵션이 있습니다. 제품은 Telcordia GR-468에 의해 인증되며 ROH의 요구 사항을 충족합니다.

1920 ~ 2020 nm, TDFA 기반 앰프는 전력 범위에서 -10 dbm ~ +10 dbm에서 2 μm 범위의 레이저의 신호를 향상시키는 데 사용될 수 있습니다. 풍부한 출력 전력은 40dBm에 도달 할 수 있습니다. 종종 레이저 광원의 전송 전력을 높이는 데 사용됩니다.